| 型号： | SPB11N60C3 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| SPB11N60C3 PDF |  |
| 产品培训模块 | CoolMOS™ CP Switching Behavior CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
| 产品目录绘图 | Mosfets D-PAK, D2-PAK, TO-252 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 380 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.9V @ 500µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 产品目录页面 | 1616 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | SP000013519 SPB11N60C3INTR SPB11N60C3XT SPB11N60C3XTINTR SPB11N60C3XTINTR-ND |